2026年6月27日，媒体披露专注全球存储芯片产业链的Roundhill Memory ETF（代码：DRAM）更新投资组合，将中国闪存芯片设计龙头兆易创新纳入持仓，目前权重约为2.91%（据单一来源），在组合中既非核心重仓，却已足以构成对中国存储板块的实质性敞口。市场早已关注兆易创新在NOR Flash等细分领域的地位以及其与长鑫存储之间被广泛讨论的合作关系，如今这一标的被纳入全球存储主题基金，使得“通过兆易创新间接参与中国DRAM与存储产业”的叙事被进一步强化。考虑到DRAM ETF的持仓变动历来被视作观察资本如何在不同地区、不同细分赛道间重新分配权重的风向标，本次在AI拉动的新一轮存储景气周期与全球供应链重塑的大背景下加码中国存储相关资产，更像是一则需要被读懂的资本信号：全球资金究竟在押注怎样的中国存储路径，以及它们愿意为这种路径分配多大比例的风险预算。
DRAM调仓现场：2.91%权重传递的信号
作为围绕全球存储芯片产业链配置的主题基金，Roundhill Memory ETF（DRAM）的持仓变动，本质上是在不同厂商、不同地域和不同产品线之间重新分配风险预算。2026年6月27日披露的最新组合中，DRAM ETF将兆易创新纳入持仓，并给予约2.91%的权重，在单只标的上已构成可感知的仓位，而非象征性试探。结合“DRAM ETF的持仓变动通常被视作反映资本对存储行业细分赛道和不同地域偏好的变化”这一市场共识，这一调整可以解读为：基金管理人正在实质性抬升对中国存储产业链的敞口，而不仅仅停留在口头看多或被动跟随。
在当前组合中加入中国半导体公司，背后至少有两层逻辑。其一，在全球半导体供应链重塑、地缘风险加剧的背景下，单一区域集中敞口的风险溢价在上升，通过引入中国存储与闪存相关资产，可以从地域层面分散潜在冲击。其二，中国半导体产业链，尤其是存储等关键环节，近年成为国际资本重点跟踪的成长版块，长鑫存储作为大陆大规模量产DRAM的代表、兆易创新在闪存设计领域的地位，以及Citrini Research分析师Jukan将兆易创新视为长鑫存储母公司或关联实体的市场叙事，共同构成了“通过兆易创新参与中国DRAM与存储成长故事”的投资框架。在这一框架下，DRAM ETF为兆易创新分配约2.91%的权重，更像是对中国存储路径的一次主动押注，而不是被动的权重微调。
从兆易创新到长鑫存储：一条看不见的资本通路
在中国存储版图中，兆易创新以闪存芯片设计见长，在NOR Flash、NAND等细分领域具有重要市场地位，是本土存储产业链中少数兼具规模与产品线深度的设计公司之一；长鑫存储则是中国大陆目前唯一大规模量产DRAM的厂商之一，被视为本土DRAM产业的关键力量。一个侧重非易失性闪存设计，一个专注DRAM制造，二者在技术路径和产业环节上形成互补，这种互补性强化了市场对其“紧密合作关系”的想象。Citrini Research分析师Jukan就指出，市场在叙事层面上，往往把兆易创新视作长鑫存储的“母公司”或关联实体，用这一标签来简化中国存储产业内部复杂的业务与资本关系。
正是在这种叙事下，一部分国际资本开始将兆易创新视作参与中国先进DRAM产能发展的间接载体：DRAM主题基金通过持有兆易创新，不仅获得了对中国闪存设计龙头的敞口，也在逻辑上搭建出一条通向长鑫存储、乃至更广泛中国DRAM产业的“看不见的资本通路”。不过，简报已明确，目前缺乏关于兆易创新与长鑫存储股权关系的官方权威界定，现有说法更多停留在市场解读层面，而非法律意义上的控股或隶属结构，这意味着相关投资逻辑中相当一部分是基于预期与想象，未来这条看不见的资本通路能否持续存在，将取决于后续信息披露与市场如何重新定价兆易创新与长鑫存储之间的实际关系。
DRAM ETF的中国筹码：敞口正在悄然上升
从地域配置的视角看，DRAM ETF在2026年6月27日将兆易创新纳入组合，本质上是在全球存储产业链版图中，主动把一块筹码押在中国身上。该ETF本身按地域和产业链环节做分散配置，而兆易创新作为中国本土的闪存芯片设计公司，被纳入且当前权重约为2.91%（据单一来源），意味着基金对中国市场的直接暴露度被抬高，同时也把此前更多停留在“故事层面”的长鑫存储链条，部分转化为组合中的实际持仓权重。
需要强调的是，简报明确指出，目前缺乏DRAM ETF其他中国持仓及权重的完整数据，无法给出中国相关标的在基金整体中的精确比例，因此更合理的解读是：在全球半导体供应链重塑、资金在不同地区存储企业之间进行再分配的过程中，这只主题基金正以渐进方式提高对中国存储产业链的关注度，而非一次性、大幅度地单向押注中国。AI应用扩张和对高带宽存储需求的上升，使得中国存储与闪存等关键环节很难被完全忽视，在地缘政治与供应链重构的双重约束下，全球资金通过增加类似兆易创新这类标的的权重，选择在可控敞口内参与中国存储产业的潜在上行周期，这一过程未来如何演进，将取决于DRAM ETF是否继续在再平衡中向中国倾斜以及中国存储产业自身业绩与政策环境的变化。
AI与HBM热潮：存储周期中的中国身影
AI算力的扩张，将算力瓶颈从单纯的计算单元推向“算力+带宽”的整体系统，简报中提到，高带宽存储（HBM）需求的显著上升，正在把全球存储芯片推入新一轮景气周期：一端是AI集群对DRAM、HBM需求的放大，另一端是传统终端需求逐步修复，叠加库存出清，使得存储价格与产能利用率同步回暖。在这一背景下，全球半导体供应链重塑过程中的“薄弱环节”开始被资本重新定价，其中存储等关键环节被列为重点关注方向，中国存储与闪存企业因成本结构与潜在供给弹性，成为资金尝试获取上行周期贝塔的对象。
2026年6月27日，媒体报道Roundhill Memory ETF（DRAM）更新组合，将兆易创新纳入持仓，当前权重约2.91%（据单一来源），这一时点与AI驱动的存储景气抬升高度重合。兆易创新深耕闪存芯片设计，其在NOR Flash等细分市场的地位，使其业绩对存储行业整体需求变化具备一定敏感度；同时，Citrini Research分析师Jukan指出，市场将其视作中国DRAM厂商长鑫存储的母公司或关联实体，在叙事层面进一步强化了其“存储+中国”的标签。考虑到DRAM ETF的持仓变动通常被视为其对存储周期及AI、HBM等主题的中期判断，本次纳入一方面是顺应AI与HBM带来的存储周期上行，另一方面也是在供应链重塑与地域分散配置诉求下，增加对中国存储相关资产间接敞口的一次权衡选择，而这也让DRAM ETF此次纳入兆易创新，成为AI与HBM热潮下存储周期与中国主题共振的一次典型配置样本。
地缘博弈之下：中国存储的新定价故事
在全球半导体供应链重塑与地缘紧张并行的环境中，DRAM ETF在以存储芯片产业链为主题的框架内，选择将兆易创新纳入并给予约2.91%的权重，本质上是在地缘风险与增长红利之间做一次“加权平均”：既不直接押注中国本土DRAM厂商的全部不确定性，又通过闪存与DRAM链条的交织，将中国存储产业上行周期部分纳入组合。市场将兆易创新视作连接长鑫存储与国际资本的间接纽带的叙事，配合Citrini Research分析师Jukan“母公司或关联实体”的表述，使得这笔配置更像是一种通过股权与业务关系“侧面参与”中国DRAM进展的路径选择。对于部分国际资金而言，在制裁、出口管制等变量尚未明朗的阶段，以主题ETF为载体、通过类似兆易创新的标的获取中国存储敞口，可能比直接大幅买入单一DRAM厂商更符合合规与流动性约束。向前看，值得持续跟踪的，一是DRAM ETF对中国存储相关资产的总体权重是否在后续调仓中继续抬升，二是中国本土存储产能爬坡、产品结构升级以及配套政策取向，能否逐渐降低地缘折价、提升收益预期，从而在全球存储资产的横向比较中，推动中国存储资产进入一个由基本面与风险溢价共同重塑的全新定价区间。
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